Піддубний, Володимир ОлексійовичГрицевич, Іван Ростиславович2018-12-272018-12-272018Грицевич, І. Р. Пристрій вимірювання параметрів напівпровідникових приладів для формування їх математичних моделей САПР : магістерська дис. : 172 Радіотехнічні інформаційні технології / Грицевич Іван Ростиславович – Київ, 2018. – 101 с.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/25543Робота виконана на 87 сторінках, має 17 посилань на науково-технічну літературу. В роботі є 45 рисунків та 32 таблиці. В дисертації розроблено пристрій вимірювання характеристик та формування параметрів моделі напівпровідників для САПР. Розроблено алгоритми вимірювання частотних та температурних характеристик. Дана розробка дозволить уточнювати або формувати параметри транзисторів та інших напівпровідникових приладів. Це дозволить підвищити ефективність проектування радіо-електронної апаратури, зокрема уникнути налаштування після проектування, підвищити надійність та зменшити загальну кількість компонентів радіо-електронних схем.ukтранзисторний характерографпараметри напівпровідниківмодель Гумеля-Пунапараметри моделі САПРвольт-амперні характеристикиamper-volt characteristics.transistor curve tracersemiconductor parametersGummel-Poon modelCAD model parametersMaster Thesis101 с.621.382.2/.3