Ткачук, О. ИТеребинская, М. И.Лобанов, В. В.Ткачук, О. І.Теребінська, М. І.Лобанов, В. В.Tkachuk, O.Terebinska, M.Lobanov, V.2016-12-152016-12-152016Ткачук, О. И. Положение остовного уровня Ge(3d5/2) в зависимости от конфигурации адсорбционных комплексов Ge на грани Si(001)(4×2) / О. И. Ткачук, М. И. Теребинская, В. В. Лобанов // Комп’ютерне моделювання в хімії і технологіях та системах сталого розвитку – КМХТ-2016 : збірник наукових статей П’ятої міжнародної науково-практичної конференції, 18-20 травня 2016 року, м. Київ. – Київ : НТУУ «КПІ ім. Ігоря Сікорського», 2016. – С. 171-176. – Бібліогр.: 6 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/18316ruгетеропереходыостовные уровнибуклированная поверхностьдимеризованная поверхностьгетеропереходиостівні рівнібукльована поверхнядимеризована поверхняheterojunctionscore levelsbuckled surfacesurface dimersПоложение остовного уровня Ge(3d5/2) в зависимости от конфигурации адсорбционных комплексов Ge на грани Si(001)(4×2)Положення остівного рівня Ge(3d5/2) в залежності від конфігурації адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)(4×2)Core level position Ge(3d5/2) in dependence of the configuration adsorption Ge complexes on the face of Si(001)(4×2)ArticleС. 171-17654118:544:72П'ята міжнародна наукова-практична конференція «Комп’ютерне моделювання в хімії і технологіях та системах сталого розвитку»