Саурова, Тетяна АсадівнаШпиченко, Владислав Сергійович2023-08-292023-08-292023Шпиченко, В. С. Дослідження транспортних властивостей електронів в сполуках AlxGa1-xAs у слабкому електричному полі : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Шпиченко Владислав Сергійович. – Київ, 2023. – 48 с.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/59615Об’єкт дослідження - напівпровідниковий матеріал арсенід алюмінія-галія AlGaAs. Предмет дослідження - часи релаксації імпульсу та рухливість електронів у потрійній сполуці AlxGa1-xAs. Мета роботи - дослідження температурної залежності дрейфової рухливості електронів у AlxGa1-xAs. Відповідно до обраної мети в першому розділі було наведено опис загальних властивостей і характеристик матеріалу. А саме, структура кристалічної ґратки, опис дисперсійних характеристик, технології виробництва та застосування. У другому розділі було обрано апроксимації для розрахунку вихідних параметрів AlxGa1-xAs при x = 0.26. Описано та розраховано фононні та домішкові види розсіювання. Змодельовано та проаналізовано механізм повного розсіювання для дрейфової та холлівської рухливостей. В третьому розділі було отримано графіки залежностей дрейфової та холлівської рухливостей. Проведено аналіз та порівняно із експериментом.48 с.ukарсенід алюміня-галіярухливість електронівBachelor Thesis