Саурова, Тетяна АсадівнаШпиченко, Владислав Сергійович2026-01-142026-01-142024Шпиченко, В. С. Дослідження кінетичних властивостей електронів в антимоніді індію : магістерська дис. : 176 Мікро- та наносистемна техніка / Шпиченко Владислав Сергійович. – Київ, 2024. – 54 с.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/78115Об’єктом дослідження є напівпровідниковий матеріал антимонід індію (InSb). Предмет дослідження - часи релаксації типових механізмів розсіювання, рухливість електронів, поле-швидкісна характеристика. Метою роботи є дослідження температурної залежності рухливості електронів та поле-швидкісної характеристики антимоніду індію. У першому розділі наведено загальну інформацію щодо кристалічної структури антимоніду індію, показано дисперсійну характеристику, описано технології вирощування кристалу та застосування у сучасних розробках. У другому розділі підібрано варіанти для параметрів, показано та описано результати змодельованих температурних залежностей для різних процесів розсіювання, рухливості та порівняння з експериментом, а також: поле-швидкісну характеристику, дрейфову швидкість в динамічному режимі електричного поля.54 с.ukантімонід індіюрухливість електроніврелаксаціяMaster Thesis