Ковбаса, С. М.Вербовий, Ю. В.2026-03-032026-03-032025Вербовий, Ю. В. Перспектива заміни кремнієвих IGBT на карбід кремнієві MOSFET в автономних інверторах напруги та струму в складі сучасних електромеханічних систем для поліпшення їх динамічних та енергетичних показників при використанні високочастотної ШІМ / Вербовий Ю. В. // Аспірантські читання імені професора Артура Веніаміновича Праховника, до 85-річчя від дня народження : матеріали наукової конференції, [Київ], 25–26 берез. 2025 р. / КПІ ім. Ігоря Сікорського. - Київ, 2025. - С. 51-58.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/79201В роботі наведено огляд основних фізичних та електричних характеристик напівпровідникових матеріалів кремнію та карбіду кремнію які використовуються для виготовлення сучасних силових напівпровідникових приладів. Використовуючи раніше розроблену та виготовлену експериментальну установку для тесту подвійним імпульсом (Double-Pulse Test, DPT), для різних струмів комутації проведено тестування процесів переключання транзисторів. В результаті аналізу проведених тестів показано, що за інших рівних умов SiC-MOSFET забезпечує найменші втрати на перемикання, що свою чергу робить цей тип транзисторів найбільш придатним для використання у застосуваннях з високою частотою широтно-імпульсної модуляції. Показано, що використання SiC-MOSFET потенційно може забезпечити зменшення мертвого часу перетворювача у порівнянні з Si-IGBT, що в свою чергу дозволить покращити динамічні властивості автономних інверторів напруги та спростити або повністю відмовитися від застосування алгоритмів компенсації мертвого часу. Результати виконаних досліджень можуть бути використані при розробці силових напівпровідникових перетворювачів електроприводів різних типів або статичних перетворювачів параметрів електричної енергії. Бібл. 16, рис. 3, табл. 2.ukнапівпровідники з широкою забороненою зоноютест подвійним імпульсомсилова електронікаSiC-MOSFETSi-IGBTвтрати на перемиканнявисокочастотна ШІМwide bandgap semiconductorsdouble pulse testpower electronicsswitching losseshigh-frequency PWMПерспектива заміни кремнієвих IGBT на карбід кремнієві MOSFET в автономних інверторах напруги та струму в складі сучасних електромеханічних систем для поліпшення їх динамічних та енергетичних показників при використанні високочастотної ШІМProspects of replacement of silicon IGBT with silicon carbide MOSFET in autonomous voltage and current inverters in modern electromechanical systems to improve their dynamic and energy performances in case of using high-frequency PWMArticleС. 51-58681.5:520009-0001-7032-9536