Кукурудзяк, М.С.2023-07-112023-07-112022Кукурудзяк, М.С. Технологічні причини пробою p-n-переходу кремнієвих p-i-n фотодіодів / Кукурудзяк М.С. // Мікросистеми, Електроніка та Акустика : науково-технічний журнал. – 2022. – Т. 27, № 3(122). – С. 268299-1-268299-7. – Бібліогр.: 19 назв.2523-4455https://ela.kpi.ua/handle/123456789/57973Під час виготовлення координатних квадрантних p-i-n фотодіодів з високою напругою зворотного зміщення Uзм≥200 В було спостережено наявність систематичного браку виробів по рівню темнового струму одного (рідше кількох) фоточутливого елемента. Після вимірювання вольт-амперних характеристик побачено, що причиною вказаного є пробій p-n-переходу. Встановлено, що сильний вплив на напругу пробою мають кристалографічні дефекти, зокрема дислокації, механічні порушення, нерівні краї окисної плівки вікон для дифузії, нерівномірний дифузійний профіль, локальний тепловий вплив та ін. Збільшення напруги пробою можливе при збільшенні товщини підкладок, зменшенні концентрації легуючих домішок, чіткому контролю операцій фотолітографії, напилення та приварювання виводів.ukкремнійфотодіоддислокаціятемновий струмклин травленняпробій p-n-переходуsiliconphotodiodedislocationdark currentetching wedgep-n junction breakdownArticlePp. 268299-1-268299-7https://doi.org/10.20535/2523-4455.mea.268299621.383.520000-0002-0059-1387