Авксентьев, Ю. А.Ларкин, С. Ю.Парфенюк, П. В.Авксентьєв, Ю. А.Ларкін, С. Ю.Парфенюк, П. В.Avksentyev, Yu.Larkin, S.Parfenuk, P.2015-01-152015-01-152014Авксентьев Ю. А. Сравнение эффективности рекомбинации неравновесных носителей в структурах с квантовыми точками и квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии / Ю. А. Авксентьев, C. Ю. Ларкин, П. В. Парфенюк // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2014. – Т. 19, № 2(79). – С. 30–35. – Библиогр.: 19 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10125ruМОС-гидридная эпитаксиягетероструктурыквантовые точкиквантовые ямыквантовая эффективностьсветодиодМОС-гідридна епітаксіягетероструктуриквантові точкиквантові ямиквантова ефективністьсвітлодіодMOCVD epitaxyheterostructuresquantum dotsquantum wellsquantum efficiencythe LEDСравнение эффективности рекомбинации неравновесных носителей в структурах с квантовыми точками и квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксииПорівняння ефективності рекомбінації нерівноважних носіїв у структурах із квантовими точками й квантовими ямами, вирощених методом МОС-гідридної епітаксіїComparison of efficiency recombination of nonequilibrium carriers in structures with quantum dots and quantum wells, grown by mocvdArticleС. 30-35621.382:539.23