Makhkamov, Sh.Makhmudov, Sh. A.Sulaimоnov, A. A.Rafikov, A. K.2023-12-272023-12-272021Influence of temperature on photoresistors obtained on the basis of compensated silicon / Sh. Makhkamov, Sh. A. Makhmudov, A. A. Sulaimоnov, A. K. Rafikov // Відновлювана енергетика та енергоефективність у XXI столітті : матеріали XXІІ міжнародної науково-практичної конференції (20-21 травня 2021 р.). – Київ : Інститут відновлюваної енергетики НАНУ, 2021. – С. 502-509.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/63382An experimental study of the kinetics of photoconductivity of a resistor by impurity centers based on compensated silicon has been carried out. The parameters characteristic of the control silicon with radiation impurities are investigated. The electrical resistances of irradiated n+-n-n+ -structures are changed on temperature for silicon with different initial samplesensemiconductorphotoconductivityresistanceradiation technologyconcentration of charge carriersрадіаційні технології.концентрація носіїв зарядунапівпровідникфотопровідністьопірInfluence of temperature on photoresistors obtained on the basis of compensated siliconВплив температури на фоторезистори, отримані на основі компенсованого кремніюArticleС. 502-509621.315.5920000-0003-0182-3917