Куліков, Костянтин ВячеславовичМоскалюк, Володимир ОлександровичТимофєєв, Володимир Іванович2020-05-072020-05-072019Куліков, К. В. Високочастотні властивості GaN, AlN та InN у сильних полях / Куліков К. В., Москалюк В. О., Тимофєєв В. І. // Мікросистеми, Електроніка та Акустика : науково-технічний журнал. – 2019. – Т. 24, № 3(110). – С. 20–32. – Бібліогр.: 15 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/33301ukIII-нітридинітрид галіюнітрид алюмініюнітрид індіюмеханізми розсіюванняміждолинне розсіюваннячаси релаксаціїсильне електричне полебалістичний транспортдинамічні характеристикигранична частотаIII-nitridesgallium nitridealuminum nitrideindium nitridescattering mechanismsinter-valley scatteringrelaxation timesstrong electric fieldballistic transportdynamic performancecutoff frequencyIII-нитридынитрид галлиянитрид алюминиянитрид индиямеханизмы рассеяниямеждолинное рассеяниевремена релаксациисильное электрическое полебаллистический транспортдинамические характеристикиграничная частотаВисокочастотні властивості GaN, AlN та InN у сильних поляхHigh-Frequency Properties of GaN, AlN and InN in Strong FieldsВысокочастотные свойства GaN, AlN и InN в сильных поляхArticleС. 20-32https://doi.org/10.20535/2523-4455.2019.24.3.178841621.382