Dvornikov, О. V.Dziatlau, V. L.Prokopenko, N. N.Tchekhovski, V. А.Дворнiков, О. В.Дятлов, В. Л.Прокопенко, М. М.Чеховський, В. О.Дворников, О. В.Дятлов, В. Л.Прокопенко, Н. Н.Чеховский, В. А.2018-08-222018-08-222017The Effect of Gamma Rays on the Main Static Characteristics of SiGe Transistors / О. V. Dvornikov, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko, V. А. Tchekhovski // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2017. – Вип. 71. – С. 40–45. – Бібліогр.: 25 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/24325enradiation hardnessSiGe-transistorsanalog microcircuitsgamma raysmain static characteristics of transistorрадiацiйна стiйкiстьSiGe-транзисторианалоговi мiкросхемигамма випромiнюванняосновнi статичнi характеристики транзисторарадиационная стойкостьSiGe-транзисторыаналоговые микросхемыгамма излучениеосновные статические характеристики транзистораArticleС. 40–45