Діденко, Ю. В.Молчанов, В. І.Пашков, В. М.Татарчук, Д. Д.Франчук, А. С.Didenko, Yu. V.Molchanov, V. I.Pashkov, V. M.Tatarchuk, D. D.Franchuk, A. S.Диденко, Ю. В.Молчанов, В. И.Пашков, В. М.Татарчук, Д. Д.Франчук, А. С.2014-12-222014-12-222013Температурні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням / Ю. В. Діденко, В. І. Молчанов, В. М. Пашков, Д. Д. Татарчук, А. С. Франчук // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 5(76). – С. 9–12. – Библиогр.: 5 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/9941ukp-i-n діодрезонанс E-типунапівпровідниковий резонатор з електронним керуваннямвласна добротністьтемпературний коефіцієнтp-i-n diodeE-type resonancesemiconductor resonator with electronic controlunloaded Q-factortemperature coefficientp-i-n диодрезонанс E-типаполупроводниковый резонатор с электронным управлениемсобственная добротностьтемпературный коэффициентТемпературні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуваннямThe temperature properties of semiconductor resonant structures with electronic controlТемпературные свойства полупроводниковых резонансных структур с электронным управлениемArticleС. 9-12621.372.41