Dvornikov, О. V.Tchekhovski, V. А.Dziatlau, V. L.Prokopenko, N. N.Дворніков, О. В.Чеховський, В. О.Дятлов, В. Л.Прокопенко, М. М.Дворников, О. В.Чеховский, В. А.Дятлов, В. Л.Прокопенко, Н. Н.2018-04-192018-04-192016The main characteristics of SiGe HBTs at low temperatures / О. V. Dvornikov, V. А. Tchekhovski, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2016. – Вип. 66. – С. 87–96. – Бібліогр.: 15 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/22802enSiGe bipolar transistorslow temperaturestemperature of liquid nitrogenSiGe біполярні транзисторинизькі температуритемпература рідкого азотуSiGe биполярные транзисторынизкие температурытемпература жидкого азотаArticlePp. 87-96621.382