Тимофєєв В.2012-01-122012-01-122008Дослідження новітніх нанорозмірних напівпровідникових структур та приладів для розроблення і впровадження технологій їх виготовлення : звіт про НДР (заключ.) / НТУУ "КПІ" ; кер. роб. В. Тимофєєв. - К., 2008. - 168 л. + CD-ROM. - Д/б №2012-пhttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/1369Тема роботи: «Дослідження новітніх нанорозмірних напівпровідникових структур та приладів для розроблення і впровадження технологій їх виготовлення». Предметом роботи є дослідження фізичних процесів та фізико-топологічне моделювання наноструктурних електронних приладів: багатошарових гетеротранзисторних структур, включаючи гетеробіполярні транзистори, гетеротранзисторів із квантовими точками, приладів та структур з резонансним тунелюванням для розроблення і впровадження технологій їх виготовлення. Метою роботи є створення інформаційного забезпечення для моделювання перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення. У першому розділі наведено огляд наукової літератури та сформульовані основні напрямки розвитку субмікронної та манометрової електроніки. Другий розділ містить результати розрахунків необхідних для моделювання параметрів для найбільш перспективних напівпровідників АIIIВV (GaAs, InP, GaN) у сильному електричному полі, у тому числі високочастотної та динамічної провідності та її граничної частоти. У третьому розділі описуються розроблені математичні моделі і проаналізовано характеристики гетероструктур щодо швидкодії та їх використання у субмікронних та нанометрових компонентах, включаючи низькорозмірні, зокрема, квантові точки. Запропоновано перспективні структури гетеротранзисторів. У четвертому розділі описана створена під час виконання роботи математична модель резонансно-тунельного діоду (РТД), і наведені результати моделювання для тестової структури РТД. Обґрунтований та обчислений вплив конструктивних параметрів двохбар’єрної квантової системи на електричні характеристики резонансно-тунельного діоду, що може бути використано для оптимізації топології РТД та отримання діодів з наперед заданими властивостями. У п’ятому розділі проаналізовано швидкісні властивості субмікронних гетеротранзисторних структур і виявлено властивості двовимірного електронного газу структури з двома квантовими ямами, наведено двовимірні і аналітичні моделі і проведено розрахунки субмікронних гетеробіполярних транзисторів з урахуванням ефекту саморозігріву.ukЗвіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.напівпровідникові сполуки АIIIВVчаси релаксаціїмеханізми розсіюванняполе-температурні та поле-швидкісні характеристикивисокочастотна провідністьрезонансно-тунельний діодгетероперехідквантова ямаквантова точканизбкорозмірні структуриTechnical Report