Іващук, Анатолій ВасильовичБезручко, Марко Валерійович2021-01-182021-01-182020Безручко, М. В. Сенсор на основі фотодіоду з InSb для середнього ІЧ діапазону : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Безручко Марко Валерійович. – Київ, 2020. – 84 с.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/38751Об’єктом дослідження став фоточутливий елемент на основі InSb утворений з імплантацією іонів берилію. Предмет роботи – створення сенсору на основі фоточутливого елементу з InSb, який працює при температурі 77К. Метою даної роботи є створення сенсору на основі фоточутливого елементу з InSb, який працює при температурі 77К та дослідження його характеристик. Перший інформаційно-аналітичний розділ роботи містить загальну інформацію про інфрачервоне випромінювання. Також в ньому коротко надана інформація про принципи охолодження фотодіодів та сфери використання. У другому розділі викладено інформацію про основні процеси технологічного маршруту. У третьому розділі удосконалюється процес виготовлення фотодіоду Четвертий розділ включає в себе стартап-проект на основі проведених досліджень. Опис та технологічний аудит ідеї, аналіз ринку, розробка ринкової стратегії та маркетингової програми стартап-проекту.ukфотодіодантимонід індіюіонна імплантаціяфоточутливий елементанодне окисненняпасивація поверхніInSbsurface passivationphotodiodeindium antimonideion implantationphotosensitive elementanode oxidationMaster Thesis84 с.