Туркевич, Володимир ЗіновійовичГладкий, Ілля Олексійович2023-05-292023-05-292023Гладкий, І. О. Вплив високого тиску та температури на формування кристалів нітриду галію з розчину в розплаві заліза : магістерська дис. : 132 Матеріалознавство / Гладкий Ілля Олексійович. - Київ, 2023. - 108 с.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/56264Об’єкт дослідження – кристали GаN, сплави-розчинники на основі заліза для вирощування монокристалів. Мета роботи – отримання високоякісних монокристалів GaN у АВТ типу «тороїд» методом температурного градієнту. Методи дослідження: SEM, XRD, ІЧ-спектроскопія, та раманівська спектроскопія Було проведено огляд літератури та патентів, що стосуються методів отримання GaN. Були розглянуті сучасні методи отримання кристалів GaN, досліджено вплив параметрів вирощування монокристалів на їх структурну досконалість. На основі відомостей з літературних джерел були визначені технологічні параметри та склад сплаву-розчинника для вирощування монокристалів GaN. Проведено експерименти з вирощування кристалів GaN при температурах 1200, 1400 та 1600 °C протягом 55 хвилин, 14 годин і 17 годин відповідно. Був вивчений вплив температури, тиску, часу кристалізації та складу сплаву-розчинника на структурну досконалість отриманих кристалів за допомогою методів скануючої електронної мікроскопії (SEM), рентгенівської дифрактометрії (XRD), інфрачервоної спектроскопії (ІЧ), оптичної спектроскопії та раманівської спектроскопії. Звіт був підготовлений згідно з умовами договору з Інститутом напівпровідників ім. В.М. Бакуля Національної академії наук України, розташованим за адресою: вул. Автозаводська, 2, Київ 04074.108 с.ukgalium nitridegrowingpressuresingle crystalssolvent alloytemperatureMaster Thesis