Якименко, Юрій ІвановичЗінченко, Андрій Юрійович2026-08-042026-08-042026Зінченко, А. Ю. Вольт-фарадне профілювання органічно-неорганічних гетероструктур : магістерська дис. : 176 Мікро- та наносистемна техніка / Зінченко Андрій Юрійович. – Київ, 2026. – 92 с.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/82350Ця робота присвячена дослідженням органічно-неорганічних гетеропереходів шляхом вольт-фарадного профілювання. Для проведення досліджень були синтезовані структури на основі пористого кремнію та тонких плівок фталоціанінів металів. Шари пористого кремнію були отримані методом гальванічного травлення на підкладках кристалічного кремнію з питомими опорами 10, 20 та 40 Ом. Для утворення органічних шарів були приготовані розчини фталоціанінів свинцю (PbPc) та міді (CuPc) з диметил-сульфоксидом, та нанесені на кремнієві підкладки шляхом накрапування. Мета досліджень - визначити наявність та дослідити властивості гетеропереходу у структурах шляхом вольт-фарадного профілювання та аналізу характеристик ємності та провідності для отримання розуміння про перебіг зарядових процесів у зразках. Отримані дані також дозволять визначити залежність поведінки зразків від розвиненості поверхні підкладок з пористого кремнію та типів фталоціанінів металів. Загальний обсяг роботи складає 92 сторінки, 37 ілюстрацій, 45 джерел за переліком посилань.92 с.ukорганічно-неорганічні гетероструктурифталоціаніниметалофталоціанінифталоціанін свинцюфталоціанін мідіпористий кремнійгальванічне анодуваннявольт-фарадне профілюванняC-V характеристикипрофіль концентрації носіїв зарядуorganic-inorganic heterostructuresphthalocyaninesmetal phthalocyanineslead phthalocyaninecopper phthalocyanineporous siliconelectrochemical anodizationvolt-farad profilingC-V characteristicscharge carrier concentration profileMaster Thesis621.315.592:539.143