Варшни, Т.Кханделвал, СаурабхАкеше, ШиамVarshney, TarushreeKhandelwal, SaurabhAkashe, Shyam2016-11-022016-11-022016Варшни, Т. Усиливающая 3Т ячейка eDRAM памяти с улучшенными параметрами чтения и удержания данных / Т. Варшни, С. Кханделвал, С. Акеше // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2016. – Т. 59, № 3 (645). – C. 18–29. – Библиогр.: 12 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/17952Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S002134701603002XrueDRAMудержание данныхусиливающая 3Т ячейкаувеличенный запас хранениямощность утечкинанотехнологияlogic compatible eDRAMdata retention3T gain cellenhanced read marginstatic powernanotechnologyУсиливающая 3Т ячейка eDRAM памяти с улучшенными параметрами чтения и удержания данныхDevelopment of 3T eDRAM gain cells for enhancing read margin and data retentionArticleС. 18-29https://doi.org/10.20535/S002134701603002X