Козаченко, В. В.Круковський, С. І.Ніколаєнко, Ю. Є.Савкіна, Р. К.Смірнов, О. Б.2016-12-012016-12-012005Вплив комплексного легування на властивості шарів GaAs, отриманих методом рідинно-фазної епітаксії // В. В. Козаченко, С. І. Круковський, Ю. Є. Ніколаєнко [та ін.] // Вісник Київського університету імені Тараса Шевченка. Серія «Фізико-математичні науки». – КНУ ім. Тараса Шевченка. – 2005. – Вип. № 4. – С. 359-364.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/18197ukрідинно-фазна епітаксіяепітаксійні шари GaAsфотолюмінесценціяLiquid-phase epitaxyGaAs epitaxial layersphotoluminescenceВплив комплексного легування на властивості шарів GaAs, отриманих методом рідинно-фазної епітаксії.The impact of doping on properties of complex layers of GaAs, obtained by liquid-phase epitaxy.ArticleС. 359-364.621.315.592