Сингх, Ш.Мишра, В.2018-08-282018-08-282018Сингх, Ш. Усовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью c применением мемристоров 45-нм технологии / Ш. Сингх, В. Мишра // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2018. – Т. 61, № 5 (671). – C. 267–274. – Библиогр.: 13 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/24353Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347018050035ruнапряжение шумаRSNMWSNMкоэффициент ячейкикоэффициент нагрузкимемристорячейка 7T SRAMArticleС. 267-274https://doi.org/10.20535/S0021347018050035621.382