Панасюк, В. В.Іванова, В. В.Ільченко, С. Г.Тараненко, В. Б.2026-05-272026-05-272026Оптичні характеристики багатошарових наноструктур на основі SiO_2 та Ta_2O_5 для внутрішньорезонаторного керування випромінюванням / В. В. Панасюк, В. В. Іванова, С. Г. Ільченко, В. Б. Тараненко // Теоретичні і прикладні проблеми фізики, математики та інформатики : матеріали XXIV Всеукраїнської науково-практичної конференції студентів, аспірантів та молодих вчених, [Київ], 13–16 травня 2026 р. / КПІ ім. Ігоря Сікорського. – Київ, 2026. – С. 68-73.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/81159У роботі виконано комплексне теоретичне, методом матриць розсіяння, та експериментальне дослідження оптичних властивостей метало‑діелектричних багатошарових наноструктур на основі дзеркал Брэгга SiO_2/Ta_2O_5 з ультратонкими прошарками хрому. Проаналізовано вплив геометричних параметрів структури, зокрема товщини металевого шару Cr та початкового діелектричного шару, на умови збудження резонансів Фано та оптичних станів Тамма у конфігураціях смугових (PBF) і режекторних (SBF) фільтрів. Показано, щ о введення нанометричних прошарків хрому призводить до формування вузьких зон поглинання у спектрах відбиття, зумовлених локалізацією електромагнітного поля на межі розділу середовищ та гібридизацією резонансних мод. Чисельні розрахунки підтверджено експериментальними спектральними та кутовими вимірюваннями, які продемонстрували високу стабільність і прогностичну точність застосованого S‑матричного алгоритму. Встановлено, що розроблені наноструктури характеризуються високою кутовою селективністю та добротністю резонансів, що відкриває можливості їх використання як ефективних елементів внутрішньорезонаторного керування спектральними та просторовими характеристиками лазерного випромінювання.ukОптичні стани Таммарезонанс Фанодзеркало БрэггаSiO_2/ Ta_2O_5багатошарові наноструктуриS‑матричний методкутова селективністьвнутрішньорезонаторне керуванняОптичні характеристики багатошарових наноструктур на основі SiO_2 та Ta_2O_5 для внутрішньорезонаторного керування випромінюваннямArticleС. 68-73535.3