Людвіченко, О. П.Лєщук, О. О.Анісін, О. М.2025-04-212025-04-212025Людвіченко, О. П. Моделювання впливу конфігурації джерела GaN на термоелектричні параметри апарата високого тиску в процесі перекристалізації його із системи Fe–Ga–N / О. П. Людвіченко, О. О. Лєщук, О. М. Анісін // Mechanics and Advanced Technologies. – 2025. – Vol. 9, No. 1(104). – P. 59-63. – Bibliogr.: 10 ref.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/73445Для вирішення актуальної задачі отримання полікристалів нітриду ґалію запропоновано використовувати апарат високого тиску тороїдального типу, для якого сконструйовано ростову комірку для проведення перекристалізації GaN з розчин-розплаву Fe–Ga–N методом температурного градієнта. Метою роботи є дослідження теплового стану комірки і встановлення оптимальних умов резистивного нагрівання апарата високого тиску, що забезпечують необхідні розподіли температури для кристалізації GaN. Проведено комп’ютерне моделювання теплового стану апарата високого тиску. Квазістаціонарну зв’язану задачу електроі теплопровідності вирішували методом скінченних елементів. Визначено вплив конфігурації джерела GaN на характер зміни термоелектричних параметрів апарата високого тиску в процесі перекристалізації GaN. В результаті розрахунків отримано поля температури і градієнта температури в досліджуваній системі джерело GaN–розчин-розплав Fe–Ga–N–полікристал GaN на послідовних етапах процесу кристалізації. Визначено, що процес перекристалізації GaN в умовах високого тиску і температури приводить до зменшення градієнта температури в ростовій системі і зростання потужності нагрівання апарата високого тиску. Це відбувається внаслідок зміни провідних властивостей ростового середовища в результаті утворення перекристалізованої фази GaN. Запропонована методика комп’ютерного моделювання дозволяє проєктувати комірки і вдосконалювати режими вирощування кристалів GaN методом температурного градієнта.ukнітрид ґаліюапарат високого тискукоміркатепловий станперекристалізаціяметод скінченних елементівgallium nitridehigh-pressure apparatuscellthermal staterecrystallizationfinite element methodМоделювання впливу конфігурації джерела GaN на термоелектричні параметри апарата високого тиску в процесі перекристалізації його із системи Fe–Ga–NModeling of the precursor configuration influence on the thermoelectric parameters of the high-pressure apparatus during GaN recrystallization from the Fe–Ga–N systemArticleP. 59-63https://doi.org/10.20535/2521-1943.2025.9.1(104).322233661.868.1:004.94:62-987