Нелін, Є. А.2013-10-212013-10-212011Високовибірні резонансно-тунельні кристалоподібні пристрої обробки сигналів : звіт про НДР (заключ.) НТУУ "КПІ" ; кер. роб. Є. Нелін. - К., 2011. - 119 л. + CD-ROM. - Д/б №2332-п0110U002398https://ela.kpi.ua/handle/123456789/4753Звіт про НДР: 118 с., 57 рис., 2 табл., 52 джерела. Об’єкт дослідження — кристалоподібні структури та пристрої на їх основі. Мета роботи — розробка методів моделювання та технічних рішень високоефективних резонансно-тунельних кристалоподібних структур та пристроїв на їх основі. Методи дослідження — розробка моделей та комп`ютерне моделювання резонансно-тунельних кристалоподібних структур та пристроїв на їх основі, експериментальні дослідження характеристик макетів пристроїв. Наноелектронні пристрої обробки сигналів на основі кристалоподібних структур є новітньою елементною базою інформаційних та телекомунікаційних систем. Запропоновано узагальнену модель резонансно-тунельних кристалоподібних структур на основі концепції імпедансу. Розроблено методи аналізу та моделі таких структур та пристроїв. Перевага імпедансного підходу у фізичній наочності, можливості синтезу структур з заданими характеристиками. Розроблено оригінальні технічні рішення високоефективних структур та пристроїв. Розроблено макети пристроїв та виконано їх експериментальне дослідження. Створено методику проектування резонансно-тунельних кристалоподібних пристроїв. Результати НДР упроваджено в навчальний процес в навчальних дисциплінах, при підготовці дисертаційних та атестаційних робіт. Результати роботи можуть бути реалізовані на підприємствах радіоелектронного профілю (ДП завод “Арсенал”, НВП “Сатурн” та ін.), у відповідних навчальнах закладах України. Прогнозні припущення щодо розвитку об`єкта дослідження — розширення функціональності, областей застосування та підвищення технологічності.ukЗвіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.кристалоподібна структурарезонансне тунелюванняелектромагнітний кристалнаноелектронні пристроїTechnical Report119 л.621.382