Байда, Ірина ПетрівнаКуліков, Костянтин ВячеславовичМоскалюк, Володимир ОлександровичТимофєєв, Володимир Іванович2020-05-052020-05-052019Релаксаційні процеси у субмікронних гетеротранзисторах з системою квантових ям / Байда І. П., Куліков К. В., Москалюк В. О., Тимофєєв В. І. // Мікросистеми, Електроніка та Акустика : науково-технічний журнал. – 2019. – Т. 24, № 2(109). – С. 14–24. – Бібліогр.: 45 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/33271ukмеханізми розсіюваннясплавний потенціалчаси релаксаціїсубмікронні гетероструктурні транзисториквантові ямиscattering mechanismsalloy scatteringrelaxation timessubmicrometer hеterostructure transistorsquantum wallsмеханизмы рассеиваниясплавной потенциалвремена релаксациисубмикронные гетероструктурные транзисторыквантовые ямыРелаксаційні процеси у субмікронних гетеротранзисторах з системою квантових ямRelaxation Processes in Submicron Heterotransistors with a System of Quantum WellsРелаксационные процессы в субмикронных гетеротранзисторах с системой квантовых ямArticleС. 14-24https://doi.org/10.20535/2523-4455.2019.24.2.169269621.382.323; 621.382.82