Белоголовский, М. А.Ларкин, С. Ю.Хачатуров, А. И.Хачатурова, Т. А.Білоголовський, М. А.Ларкін, С. Ю.Хачатуров, А. Й.Хачатурова, Т. О.Belogolovskii, M. A.Larkin, S. Y.Khachaturov, A. I.Khachaturova, T. A.2013-08-162013-08-162013Туннельные устройства с двухзонным изолятором на основе наноразмерных контактов сверхпроводящих и ферромагнитных слоев / М. А. Белоголовский, С. Ю. Ларкин, А. И. Хачатуров, Т. А. Хачатурова // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 1(72). – С. 9–13. – Библиогр.: 8 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/3516ruнаноэлектроникагетероструктурытуннелированиезонная структураферромагнетизммагнетосопротивлениенаноелектронікагетероструктуритунелюваннязонна структураферомагнетизммагнетоопірnanoelectronicsheterostructurestunnelingband structureerromagnetismmagnetoresistanceТуннельные устройства с двухзонным изолятором на основе наноразмерных контактов сверхпроводящих и ферромагнитных слоевТунельні пристрої із двохзонним ізолятором на основі нанорозмірних контактів надпровідних і феромагнітних шарівDevices with dual-zone tunnel insulator based on nanoscale super-conducting contacts and ferromagnetic layersArticleС. 9-13621.382:539.292