Биткін, С. В.Критська, Т. В.2022-10-202022-10-202020Биткін, С. В. Нелінійна зміна H21E NPN-структур з діелектричною ізоляцією, виготовлених на SIGЕ з різною концентрацією ізовалентної домішки / Биткін С. В., Критська Т. В. // Міжнародна науково-технічна конференція «Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи» : матеріали конференції, 16-22 листопада 2020 р., м. Київ, Україна / КПІ ім. Ігоря Сікорського, РТФ. – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2020. – С. 142-144.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/50475ukпланарна npn структураіонізуюче випромінюваннякремнійлегований германіємplanar npn structureionizing radiationgermanium-doped siliconArticleС. 142-144