Гільчук, Андрій ВолодимировичСіряк, Тетяна Вікторівна2026-03-192026-03-192023Сіряк, Т. В. Моделювання процесу росту тонких плівок GaAs : дипломна робота ... бакалавра : 105 Прикладна фізика та наноматеріали / Сіряк Тетяна Вікторівна. – Київ, 2023. – 53 с.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/79624Пояснювальна записка дипломної роботи за обсягом становить 53 сторінки, містить 26 рисунків. Для дослідження було використано 17 бібліографічних найменувань. Метою роботи є дослiдження стацiонарної задачi для моделювання процесiв росту тонких напiвпровiдникових плiвок, в особливостi GaAs; встановлення залежностi швидкостi росту вiд таких параметрiв як, швидкiсть нанесення, концентрація речовин, температура, тиск, та товщина. Встановити оптимальні параметри необхіді для отримання кращої якості плівки. Порівняти два запропонованих методи для подальшого вдосконалення технології. Предметом дослідження є набір параметрів системи робочого реактора, що визначаються для методів LP-MOCVD та PE-CVD. Виконане моделювання методів вирощування тонких плівок LP-MOCVD та PE-CVD за допомогою програмного забезпечення COMSOL Multuphysics. У ході аналізу результатів було з’ясовано, що дане моделювання є доцільним для використання в промисловості, оскільки отримані дані було верифіковано з реальнию установкою. Було досліджено параметри, значення яких дають найвищий показник швидкості росту плівки GaAs. Встановлено, що метод LP-MOCVD має обмежений діапазон температур, за яких буде досягатись найвище значення швидкості росту тонкої плівки. Аналіз результатів моделювання методів LP-MOCVD та PE-CVD допомагає зрозуміти взаємозв’язок між параметрами системи та швидкістю росту плівки. Це важлива інформація для покращення та оптимізації виробничих процесів, пов’язаних з депозицією плівок методами LP-MOCVD та PE-CVD.56 с.ukчислове моделюваннятонкі плівкихімічне осадженнякінетикаLP-MOCVDPE-CVDарсенід галіюсонячний елементnumerical modelingthin filmschemical depositionkineticsgallium arsenidesolar cellBachelor Thesis