Осинский, В. И.Олексенко, П. Ф.Палагин, А. В.Зубарев, В. В.Луговский, В. В.2016-11-042016-11-041999Осинский, В. И. Проблемы интеграции структур гетероелектроники с кремниевыми ИС / В. И.Осинский, П. Ф. Олексенко, А. В. Палагин, В. В. Зубарев, В. В. Луговский [ та ін.]// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 1999. - № 1. - C. 3 - 17.0130-6243https://ela.kpi.ua/handle/123456789/17995ruарсенид галлиягетероструктуракремниевая структураинтеграция структурэпитаксияподложкаПроблемы интеграции структур гетероелектроники с кремниевыми ИС.Problems of integration geteroelektroniki structures with silicon IC.ArticleC. 3 - 17.537.33+621.3