Волинський, Д. П.2023-03-282023-03-282020Волинський, Д. П. Дослідження чутливих структур наноструктурований кремній – меланін. Дослідження можливості створення сенсорів на гетеропереході por-Si — melanin / Волинський Д. П. // Електронна та Акустична Інженерія : науково-технічний журнал. – 2020. – Т. 3, № 1. – С. 5-9. – Бібліогр.: 5 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/54052Метою роботи є дослідження вольт-амперних характеристик структур пористий кремній – меланін та чутливості структур до глюкози, порівняння характеристик досліджуваних зразків. Об’єкт дослідження – структури пористий кремній – меланін. Предмет дослідження – зміна електрофізичних параметрів в залежності від зміни концентрації аналіту. В роботі було виміряно вольт-амперні характеритики досліджуваних зразків, розраховано такі параметри як: опір структури, коефіцієнт випрямлення на контакті пористий кремній – меланін, коефіцієнт випрямлення на контакті підкладка – меланін, чутливість до глюкози. Резистивні структури меланін – наноструктурований кремній є чутливими до глюкози. В роботі не було відмічено чіткої кореляції між чутливістю, випрямляючими властивостями та технологією отримання зразків, проте найбільш стабільні результати були отримані для структур, виготовлених з використанням срібла.ukнаноструктурапористий кремніймеланіннаноструктурований чутливий шарглюкозааналітчутливість до глюкозикоефіцієнт випрямленнявольт-амперні характеристикиnanostructureporous siliconmelaninnanostructured sensitive layerglucoseanalyteglucose sensitivityrectification factorcurrent-voltage characteristicsArticleС. 5-9https://doi.org/10.20535/2617-0965.2020.3.1.198789621.3820000-0002-0446-2953