Мережаный, П. Г.Павлов, Л. Н.Мережаний, П. Г.Павлов, Л. М.Merejany, P. G.Pavlov, L. N2013-10-282013-10-282013Мережаный П. Г. Датчик режима насыщения выходного n-p-n-транзистора / П. Г. Мережаный, Л. Н. Павлов // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 3(74). – С. 9–13. – Библиогр.: 3 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/5002ruинтегральные схемымодель транзисторадатчик насыщениякритические параметранеидеальность переходовінтегральні схемимодель транзисторакритичні параметринеідеальність переходівIntegrated Circuitstransistor modelsaturation sensorbarrier non-idealityArticleС. 9-13621.316.54:621.314.632