Цибульський, О. С.Клименко, В. А.Семікіна, Т. В.2023-03-302023-03-302020Цибульський, О. С. Вимірювання п’єзоелектричних характеристик діодних структур на векторному аналізаторі «Обзор-103» / Цибульський О. С., Клименко В. А., Семікіна Т. В. // Електронна та Акустична Інженерія : науково-технічний журнал. – 2020. – Т. 3, № 4. – С. 5-9. – Бібліогр.: 10 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/54151В роботі наведено результати дослідження напівпровідникових плівкових гетеро структур CdS-Cu2S та CdS-ZnS-Cu2S методом резонансу-антирезонансу. Виміри амплітудно-частотних характеристик було виконано за допомогою векторного аналізатору «Обзор-103». Викладена методика дослідження з використанням векторного аналізатору «Обзор-103». На основі визначених значень частот резонансу та антирезонансу зроблено розрахунки добротності досліджених гетеро структур та величини ємностей. Найбільші значення добротностей (~62) отримано для гетеро структури CdS-ZnS-Cu2S. Проведено аналіз отриманих результатів.ukамплітудно-частотні характеристикинапівпровідникові плівкигетероструктурип’єзоелектричні властивостіamplitude-frequency characteristicssemiconductor filmsheterostructurespiezoelectric propertiesВимірювання п’єзоелектричних характеристик діодних структур на векторному аналізаторі «Обзор-103»ArticleС. 5-9https://doi.org/10.20535/2617-0965.2020.3.4.20004553.082.73, 622.377.6, 666.655, 681.11.032.32, 681.586.35, 681.586.480000-0002-4941-00570000-0002-6035-55110000-0002-6182-4703