Домбругов, Михаил Рэмович2020-05-052020-05-052019Домбругов, М. Р. Моделирование явления инверсии градиента профиля алюминия при жидкофазной эпитаксии гетероструктур GaAl(P,As,Sb) / Домбругов М. Р. // Мікросистеми, Електроніка та Акустика : науково-технічний журнал. – 2019. – Т. 24, № 1(108). – С. 6–14. – Бібліогр.: 22 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/33256ruжидкофазная эпитаксияпринудительное охлаждениетвердые растворы А3В5Ga-Al-PGa-Al-AsGa-Al-Sbинверсная криваяпланарные волноводные структурырідиннофазна епітаксіяпримусове охолодженнятверді розчини А3В5інверсна кривапланарні хвилеводні структуриliquid phase epitaxyforced coolingsolid solutions А3В5inverse curveplanar waveguide structuresМоделирование явления инверсии градиента профиля алюминия при жидкофазной эпитаксии гетероструктур GaAl(P,As,Sb)Моделювання явища інверсії градієнта профілю алюмінію при рідиннофазній епитаксії гетероструктур GaAl(P,As,Sb)Simulation of the Inversion of the Aluminum Profile Gradient at Liquid Phase Epitaxy of GaAl(P, As, Sb) HeterostructuresArticleС. 6-14https://doi.org/10.20535/2523-4455.2019.24.1.160164621.315.592