Savchenko, E. M.Drozdov, D. G.Rodin, V. G.Grushin, А. I.Dukanov, P. А.Prokopenko, N. N.2022-02-152022-02-152019CJFET Differential Pairs Constructions and Characteristics for Design of CBiCJFet Differential Amplifiers and Differential Difference Amplifiers / Savchenko E. M., Drozdov D. G., Rodin V. G., Grushin А. I., Dukanov P. А., Prokopenko N. N. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2019. – Вип. 79. – С. 71-77. – Бібліогр.: 23 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/46471enp-n junction field-effect transistorsdifferential pairdrain-gate characteristicsilicone complementary bipolar technologyпольовi транзистори з керованим p-n переходомдиференцiальнi парихарактеристика стiкзатворкремнiєва комплементарна бiполярна технологiяполевые транзисторы с управляющим p-n переходомдифференциальные парыстокозатворная характеристикакремниевая комплементарная биполярная технологияCJFET Differential Pairs Constructions and Characteristics for Design of CBiCJFet Differential Amplifiers and Differential Difference AmplifiersArticleС. 71-77https://doi.org/10.20535/RADAP.2019.79.71-77621.382.32