Белоголовский, М. А.Ларкин, С. Ю.Білоголовський, М. А.Ларкін, С. Ю.Belogolovskii, M. A.Larkin, S. Y.2013-09-092013-09-092013Белоголовский М. А. Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов / М. А. Белоголовский, С. Ю. Ларкин // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 2(73). – С. 9–15. – Библиогр.: 11 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/3629ruнанотехнологиимемристоррезистивные переключениясложные оксидыкислородные вакансиинанотехнологіїмемристоррезистивні перемиканняскладні оксидикисневі вакансіїnanotechnologymemristorresistive switchingcomplex oxidesoxygen vacanciesНаноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металловНаноелектронні пристрої з пам'яттю на основі ефекту електроміграції кисневих вакансій у складних оксидах перехідних металівNanoelectronic devices with memory-effect of electromigration of oxygen vacancies in complex oxides of transition metalsArticleС. 9-15621.382: 539.292