Тимофеев, Владимир ИвановичСеменовская, Елена ВладимировнаФалеева, Елена МихайловнаTimofeyev, Vladimir I.Semenovskaya, Elena V.Falieieva, Olena M.2016-11-022016-11-022016Тимофеев, В. И. Электротепловой анализ мощных субмикронных полевых гетеротранзисторов на основе нитрида галлия / В. И. Тимофеев, Е. В. Семеновская, Е. М. Фалеева // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2016. – Т. 59, № 2 (644): Наноэлектроника. – C. 23–32. – Библиогр.: 18 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/17943Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347016020035ruсубмикронный гетероструктурный транзисторнитрид галлиятепловые поляэффект саморазогревачастотные характеристики усиленияsubmicron heterostructure transistorgallium nitridethermal fieldsself-heating effectgain frequency characteristicsЭлектротепловой анализ мощных субмикронных полевых гетеротранзисторов на основе нитрида галлияElectrothermal analysis of GaN power submicron field-effect heterotransistorsArticlehttps://doi.org/10.20535/S0021347016020035621.382.323