Саурова, T. А.Шпиченко, В. С.2024-03-082024-03-082023Саурова, T. А. Дослідження впливу мольного складу на рухливість електронів в арсеніді алюмінію-галію / Саурова T. А., Шпиченко В. С. // Вісник КПІ. Серія Приладобудування : збірник наукових праць. – 2023. – Вип. 66(2). – С. 60-65. – Бібліогр.: 14 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/65360Вдосконалення технології вирощування багатокомпонентних напівпровідників та дослідження потенційних можливостей їх застосування сприяють розробці напівпровідникових приладів з покращеними характеристиками. Арсенід алюмінію-галію є перспективним трикомпонентним напівпровідником з точки зору відповідності кристалічних ґраток, що викликало всебічне дослідження матеріалу з метою створення на його основі високоефективних електронних та оптоелектронних приладів. Прогнозування перспектив створення приладів на основі тих чи інших матеріалів вимагає ґрунтовного знання насамперед їх електричних властивостей. Зазначимо, що у науково-технічній літературі недостатньо розкрито можливості моделювання рухливості електронів в арсеніді алюмінію-галію. Метою роботи є моделювання залежності рухливості електронів твердого розчину AlxGa1–xAs від мольного складу х. Моделювання проведено методом релаксаційних рівнянь; на основі тридолинної моделі зони провідності. Наведена методика та проведено чисельний експеримент з визначення залежності рухливості носіїв заряду від мольного складу х твердого розчину. Звертається увага на особливість моделювання процесів міждолинного нееквівалентного розсіювання, що відповідає суттєвому зближенню енергетичних долин один до одного. Отримано модельну залежність холівської рухливості електронів в AlxGa1–xAs у повному діапазоні значень мольного складу та зіставлено її з експериментальними результатами. Наведені додаткові результати моделювання, що сприяють розумінню процесів, які призводять до появи специфічної особливості залежності рухливості електронів від мольного складу AlxGa1–xAs. Визначено набір вихідних параметрів моделювання, який забезпечує хорошу відповідність до експериментальних результатів, розглянутих у роботі. Отримані результати чисельного моделювання відкривають можливості до додаткових досліджень властивостей арсеніду алюмінію-галію. Запропоновано методику моделювання залежності рухливості носіїв заряду від мольного складу для трикомпонентних твердих розчинів.ukAlGaAsарсенід алюмінію-галіюрухливість електронівмольний складметод релаксаційних рівняньaluminum gallium arsenideelectron mobilitymolar compositionmethod of relaxation equationsArticleС. 60-65621.382.3