Кідалов, В .В.Мараховський, О. В.Cичікова, Я. О.Сукач, Г. О.2023-10-122023-10-122011Особливості пороутворення напівпровідників на прикладі селеніду цинку та фосфіду індію / Кідалов В .В., Мараховський О. В., Cичікова Я. О., Сукач Г. О. // Электроника и связь : научно-технический журнал. Тематический выпуск «Электроника и нанотехнологии». – 2011. – №5(64). – С. 13-17. – Бібліогр.: 13 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/61327Подано методику отримання пористих шарів ZnSe та InP шляхом електрохімічного травлення в кислих розчинах. Морфологія поверхні досліджувалась на cкануючому електронному мікроскопі. Методом енерго-дисперсійної рентгенівської спектроскопії (EDAX) визначено хімічний склад поверхні одержаних пористих шарів.ukпористий InPпористий ZnSecкануюча електронна мікроскопіяметод енерго-дисперсійного аналізу рентгенівських променів (EDAX)ArticlePp. 13-17https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.5.246861539.217; 544.723