Цибуленко, В. В.Шутов, С. В.Боскін, О. О.2023-08-092023-08-092021Цибуленко, В. В. Нанесення омічного контакту Al/SnAl на кремній з рідинної фази / В. В. Цибуленко, С. В. Шутов , О. О. Боскін // Наукові вісті КПІ : міжнародний науково-технічний журнал. – 2021. – № 2(132). – С. 74–80. – Бібліогр.: 13 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/59048Проблематика. Металеві одно- та багатошарові плівки широко використовують в електроніці та оптоелектроніці, зокрема як омічні контакти. Зазвичай ці плівки наносять методами термічного випаровування, іонного розпилення та хімічного осадження з газової фази. Однак методи осадження з рідинної фази є найдешевшими та найпростішими, тому нанесення омічних контактів з їх допомогою є актуальним завданням. Мета дослідження. Вивчити можливості отримання багатошарових омічних металевих плівок на поверхні напівпровідникової пластини з рідинної фази, зокрема методом скануючої рідиннофазної епітаксії (СРФЕ). Методика реалізації. Розглянуто вплив тривалого в часі градієнта температури на межі контакту металевого розчину-розплаву з напівпровідниковою пластиною на нанесення багатошарових омічних металевих плівок на поверхню напівпровідникової пластини за сегментарного контакту розчину-розплаву з пластиною. Для цього змодельовано процеси теплопередачі, процеси змочування пластини, а також її очищення від розчину-розплаву з урахуванням капілярних явищ у щілинах маски за методу СРФЕ. Для експериментального підтвердження дієвості запропонованої моделі нанесено шар Al/SnAl на кремнієву пластину в зазначених умовах. Результати дослідження. Методом СРФЕ за використання додаткового підігрівача пластини та маски в установці нанесено контактний шар Al/SnAl на поверхні кремнію з розчину-розплаву Al-Sn. Контактний шар виготовлено як три однакові за розміром доріжки, розташовані на різній відстані. За допомогою аналізу вольт-амперної характеристики визначено, що контакт нанесеної металевої плівки на поверхню напівпровідника є невипрямним, тобто омічним. Планарним методом лінії передачі з використанням лінійної конфігурації контактних доріжок (LTLM, Linear Transmission Line Method) визначено питомий контактний опір, який становить 7,2 10-4 Ом см2. Висновки. Показано можливість отримання методом СРФЕ багатошарових омічних контактів до напівпровідника в умовах сегментарного контакту розчину-розплаву з пластиною та тривалого в часі градієнта температури на межі контакту. Ці умови реалізовано за допомогою додаткового підігріву пластини з її тильної сторони та високотемпературної маски, крізь щілини якої розчин-розплав контактує з пластиною.ukскануюча рідиннофазна епітаксіяконтактна сіткасонячні елементикремнійсканирующая жидкофазная эпитаксияконтактная сеткасолнечные элементыкремнийscanning liquid phase epitaxycontact gridsolar cellssiliconArticlePp. 74-80https://doi.org/10.20535/kpisn.2021.2.214450621.3/548.25/548.5/67.02/67.050000-0001-5364-115X0000-0002-3579-83960000-0001-7391-0986