Королевич, Любомир МиколайовичЄрьоменко, Ігор Вікторович2021-07-082021-07-082021Єрьоменко, І. В. МДН-транзистор з субмікрометровою довжиною каналу : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Єрьоменко Ігор Вікторович. – Київ, 2021. – 53 с.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/42259Роботу викладено на 53 сторінках, вона містить 5 розділів, 28 ілюстрацій, 1 таблицю та 24 джерела в переліку посилань. Об'єктом дослідження є МДН транзистор из субмікрометровою довжиною каналу та їх конструктивно-технологічні особливості реалізації. Предметом роботи є порівняння результатів моделювання МДН транзистора та КНІ МДН транзистора зі структурою затвору TiAl/HfO2. Метою роботи є огляд сучасних конструкцій МДН транзисторів та вибір матеріалів підзатворних діелектриків та затвору для їх виготовлення. У першому розділі подаються способи застосування МДН транзисторів з субмікрометровою довжиною каналу. У другому розділі описуються коротко-канальні ефекти та способи їх усунення. У третьому розділі проводиться аналіз матеріалів для затвору та підзатворного діелектрика. У четвертому розділі розглядаються конструктивні та технологічні особливості реалізації МДН транзисторів з субмікрометровою довжиною каналу. У п’ятому розділі надаються способи моделювання та проводиться порівняння вольт-амперних характеристик змодельованих МДН транзисторів.ukМДН транзисторКНІhigh-kFinFETGAAFETMOSFETSOIBachelor Thesis53 с.