Якименко Ю.2012-03-052012-03-052009Розроблення технології отримання функціональної сенсорної МЕМС на основі наноструктурних п'єзоелектричних плівок нітриду алюмінія та сполук кремнія : звіт про НДР (заключ.) / НТУУ "КПІ" ; кер. роб. Ю. Якименко. - К., 2009. - 150 л. + CD-ROM. - Д/б №2010-пhttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/1565Об’єкт дослідження – модель, структура і технологія функціональної сенсорної мікроелектромеханічної системи МЕМС. Мета роботи: дослідження і розробка технології отримання функціональних наноструктурних плівок на основі сполук кремнію та нітридів матеріалів для створення плівкових сенсорних МЕМС у складі наноелектронних комірок. Робота присвячена дослідженню структури, фізико-хімічних характеристик та технології функціональних матеріалів на основі низькотемпературного синтезу плівок на основі сполук кремнія та нітридів алюмінія. Вперше розглянуті радіальні коливання плівкового елемента із частково електродованими поверхнями та побудована математична модель їх реєстрації в поляризованому по товщині елементі. Досліджено процеси синтезу плівок методом магнетронного ВЧ-розпилення, який забезпечує одержання тонких плівок кремнієвих сполук з високими технічними характеристиками, хорошою стабільністю і відсутністю деградації ефекта Стеблера-Вронскі. Одержані плівки нітридів характеризуються високою провідністю, оптичним поглинанням в області 400 нм, гетеропереходи проявляють діодні характеристики при низьких значеннях напруги 0,01-0,2В в прямому включенні. Розроблено технологію керування структурними властивостями тонких плівок кремнію з нанокристалітними включеннями, досліджені залежності різних властивостей - електрофізичних, оптичних, термоелектричних, фотоелектричних і радіаційних - від розмірів нанокристалітів і співвідношення аморфної і нанокристалічної фаз. Метод дозволяє промислове виробництво мікроелектронних пристроїв на основі нанокристалічних кремнієвих сполук. Отримані результати рекомендовано використовувати при розробці електронних пристроїв мікроелектромеханічних систем та нових функціональних матеріалів для сенсорів, резонаторів, фотоприймачів і джерел видимого і ультрафіолетового випромінювання, сонячних елементів, тонкоплівкових транзисторів.ukЗвіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.діелектрикнапівпровідникнанокристалічний кремнійсполуки кремніятонкі плівкип'єзоелектрикнітриду алюмініямікроелектронно-механічні системиВЧ-мехатронне розпиленняTechnical Report