Иванов, В. Н.Ковтонюк, В. М.Николаенко, Юрий ЕгоровичIvanov, V. N.Kovtoniuk, V. M.Nikolaenko, Yu. E.2016-09-012016-09-012006Иванов, В. Н. Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн / В. Н. Иванов, В. М. Ковтонюк, Ю. Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2006. – № 5. – С. 5–7.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/17471ruдиод Ганнамезаструктурадиборид титанагорячие электроныGunn diodemesostructuretitanium diboridehot electronsТехнология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волнArticleС. 5-7621.382.029.64