Кушвах, Равиндра СингхСикарвар, Вандна2018-02-152018-02-152015Кушвах, Р. С. Анализ методов уменьшения тока и мощности утечки в ячейке SRAM на основе FinFET транзисторов / Равиндра Сингх Кушвах, Вандна Сикарвар // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2015. – Т. 58, № 7 (637). – C. 26–39. – Библиогр.: 14 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/22118Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347015070031ruFinFETток утечкипотребляемая мощностьстатическое оперативное запоминающее устройствоОЗУпод-пороговый ток утечкиток утечки затвораАнализ методов уменьшения тока и мощности утечки в ячейке SRAM на основе FinFET транзисторовArticleС. 26-39https://doi.org/10.20535/S0021347015070031