Ляхова, Н. М.Осінський, В. І.Семеновська, О. В.Суховій, Н. О.Тимофєєв, В. І.Фалєєва, О. М.Lyahova, N. M.Osinskiy, V. I.Semenovskaya, E. V.Suhoviy, N. O.Timofeev, V. I.Faleeva, E. M.Ляхова, Н. Н.Осинский, В. И.Семеновская, Е. В.Суховий, Н. О.Тимофеев, В. И.Фалеева, Е. М.2015-03-182015-03-182014Моделювання темплетних наноструктур / Н. М. Ляхова, В. І. Осінський, О. В. Семеновська, Н. О. Суховій, В. І. Тимофєєв, О. М. Фалєєва // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2014. – Т. 19, № 5(82). – С. 32–36. – Библиогр.: 9 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10988ukнаноструктуритемплетидислокаціїрозузгодження ґраткисполуки GaNnanostructurestempletdislocationslattice mismatchGaN compoundsнаноструктурытемплетыдислокациирассогласование решеткисоединения GaNArticleС. 32-36621.315.592.2