Молодык, А. В.Пономаренко, А. А.Балтабаев, Н. Н.Молодик, А. В.Пономаренко, О. А.Балтабаєв, М. М.Molodik, A. V.Ponomarenko, A. A.Baltabaev, N. N.2015-03-132015-03-132014Молодык А. В. Исследование технологических требований к фотоприемному устройству инфракрасного диапазона на основе структур с квантовыми ямами / Молодык А. В., Пономаренко А. А., Балтабаев Н. Н. // Вісник НТУУ «КПІ». Приладобудування : збірник наукових праць. – 2014. – Вип. 48(2). – С. 130–138. – Бібліогр.: 10 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10889ruфотоприймачі довгохвильового діапазонуструктури з квантовими ямамиМОС - гідридна епітаксіяlong-wavelength range photodetectorsquantum wall structuresMetalorganic chemical vapour depositionфотоприемники длинноволнового диапазонаструктуры с квантовыми ямамиМОС-гидридная эпитаксияИсследование технологических требований к фотоприемному устройству инфракрасного диапазона на основе структур с квантовыми ямамиДослідження технологічних вимог до фотоприймального пристрою інфрачервоного діапазону на основі структур з квантовими ямамиReasearch of technological requirements for infrared photodetector based on quantum wall structures (QWS)ArticleС. 130-138532.2