Саурова, Т. А.2026-06-172026-06-172026Саурова, Т. А. Дослідження механізмів розсіювання електронів в антимоніді індію / Саурова Т. А. // Приладобудування: стан і перспективи : збірник матеріалів XXV Міжнародної науково-технічної конференції, [Київ], 12-13 травня 2026 р. / КПІ ім. Ігоря Сікорського. – Київ, 2026. – С. 130-132. – Бібліогр. 6 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/81728Наукові публікації показують, що теоретичні та експериментальні дослідження транспортних властивостей електронів в антимоніді індію проводяться вже протягом кількох десятиліть. Прогнозування характеристик нових електронних компонентів, що створюються на його основі, вимагає більш детального вивчення параметрів і властивостей кристала. З огляду на те, що антимонід індію (InSb) має найменшу ширину забороненої зони серед бінарних сполук групи AІІІB V , розробники розглядають його як перспективний матеріал для створення напівпровідникових структур різного призначення. У науковотехнічній літературі є дані щодо досліджень високошвидкісних транзисторів на основі InSb, розробки фотодетекторів інфрачервоного діапазону випромінювання. У публікаціях також представлено дослідження властивостей багатокомпонентних напівпровідників на основі антимоніду індію, що відкривають додаткові можливості для створення високоефективних напівпровідникових приладів.ukантимонід індіяшвидкість розсіюванняInSbArticleС. 130-132621.382.3