Вербицький, Володимир ГригоровичМільшин, Данило Сергійович2019-01-172019-01-172018Мільшин, Д. С. Прецизійний стабілітрон на основі тунельного пробою : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Данило Сергійович Мільшин. – Київ, 2018. – 63 с.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/25858Магістерська робота «Прецизійний стабілітрон на основі тунельного пробоя» за об’ємом складає 60 сторінок 21 ілюстрацію, використано 12 інформаційних джерел. Актуальність роботи полягає у тому, що епітаксіальна технологія отримання низьковольтних р-n-переходів вимагає використання прецизійного технологічного устаткування, є дуже енергоємною і застосовує надзвичайно токсичні матеріали: диборан, фосфин, арсин і тому подібне. Таким чином, завдання отримання низьковольтних р- n- переходів і тим більше низьковольтних термокомпенсованих стабілітронів на їх основі носять неординарний характер і відрізняються високою мірою складності. Завдання справжнього винаходу - створення такої конструкції і способу виготовлення низьковольтного термокомпенсованого стабілітрона, для яких виключаються процеси локального епітаксіального нарощування товстих шарів легованого кремнію. Об’єктом дослідження є низьковольтний термокомпенсований стабілітрон до якого висуваються підвищені вимоги до безпеки та надійності. Предметом дослідження є оцінка рівня надійності такого стабілітрона, низьковольтного термокомпенсованого стабілітрона з напругою стабілізації 6,2 В. Технічним результатом роботи є створення конструкції і способу виготовлення низьковольтного термокомпенсованого стабілітрона, для яких виключаються процеси локального епітаксіального нарощування товстих шарів легованого кремнію.ukТКСРЕАISO26262TKSREAMaster Thesis63 с.621.3