Кичак, В. М.Слободян, I. В.Вовк, В. Л.2022-02-152022-02-152020Кичак, В. М. Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника / Кичак В. М., Слободян I. В., Вовк В. Л. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2020. – Вип. 80. – С. 79-84. – Бібліогр.: 11 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/46503ukаморфний напiвпровiдникхалькогенiднi склоподiбнi напiвпровiдникирадiацiйна стiйкiстькомiрка пам’ятiдоза опромiненняy – квантиплiвковий польовий транзисторперехiд Шотткiamorphous semiconductorchalcogenide glassy semiconductorsradiation resistancememory cellirradiation dosey - quantafilm transistorSchottky junctionаморфный полупроводникхалькогенидние стеклообразние полупроводникирадиационная стойкостьячейка памятидоза облученияy - квантыпленочный полевой транзисторпереход ШотткиArticleС. 79-84https://doi.org/10.20535/RADAP.2020.80.79-84621.3.04977.001