Пілінський, Володимир ВолодимировичБаран, Вадим Сергійович2020-05-302020-05-302020-05-19Баран, В. С. Порівняльний аналіз ефективності вихідних каскадів підсилювачів звуку класу D на GaN та Si транзисторах : магістерська дис. : 171 Електроніка / Баран Вадим Сергійович. – Київ, 2020. – 106 с.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/33865Об’єкт дослідження – модулі підсилювачів класу D на GaN та Si-транзисторах. Мета дослідження полягає в визначенні ефективності і рівнів кондуктивних ЕМЗ (далі ЕМЗ), що створюються Si і GaN MOSFET модулями. При цьому необхідно виконати порівняння рівня спотворень модулів за однакових ККД і різних робочих частотах. І, нарешті, оцінити ефективність і рівень завад GaN модуля при роботі на різних частотах. В результаті досліджень видати рекомендацію розробникам в доцільності використання GaN модуля для різних завдань з урахуванням вартості. Методи дослідження – теоретично-аналітичний огляд технічних особливостей звукових підсилювачів, методів забезпечення ЕМС; конструювання модулів та проведення вимірювання, порівняльний аналіз. Вимірювання проводилось за допомогою селективного мікровольтметру SMV11, V-подібного еквіваленту мережі NNB101, амперметра RMS, осцилографа Tektronix TDS1002, сигнали генерувалися за допомогою модуля AD9850 та мікроконтролера Arduino Nano. Наукова новизна одержаних результатів: виконано порівняльний аналіз характеристик та надано рекомендації доцільності ефективного використання перетворювальних модулів на базі GaN та Si-транзисторів в залежності від типу задач. Апробація результатів дисертації: участь у конференції «IEEE 40th International Conference on Electronics and Nanotechnology 2020 (ELNANO)» та публікація тез.ukпідсилювачі класу DGaN transistorsclass D amplifiersкондуктивні електромагнітні завадиGaN-транзисториcommon mode EMIККД підсилювачаamplifier efficiencyнапівмостовий перетворювачhalf-bridge converterelectromagnetic interferenceMaster Thesis106 с.621.314