Ляхова, Н. О.2023-10-062023-10-062011Ляхова, Н. О. Моделювання впливу темплетних розмірів на дислокаційність наноструктур при селективній епітаксії ІІІ-нітридів / Ляхова Н. О. // Электроника и связь : научно-технический журнал. Тематический выпуск «Электроника и нанотехнологии». – 2011. – №3(62). – С. 39-43. – Бібліогр.: 24 назви.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/61003Розглянуто спрощену модель процесу зародження дефектів для оптимізації темплетних шарів нанооструктур з тривимірним обмеженням. При використанні оптимізованих темплетних шарів пористого анодного оксиду алюмінію, сформованого на Si (100) підкладці, вирощено методом хлоридгидридної газофазної епітаксії шар нітриду галію, який виявився неполярним з (11 2 0) α-орієнтацією і малою анізотропією. Спектри мікро катодолюмінісценції вирощених плівок підтверджують низьку щільність дефектів упаковки.ukдислокаціїнаноструктуриGaNселективна епітаксіяIII – нітридиdislocationnanostructuresselective epitaxyIII – nitridesArticlehttps://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3.264219621.315.592.2