Оксанич, А.П.Притчин, С.Е.Тербан, В.А.Оксанич, А.П.Притчин, С.Є.Тербан, В.А.Oksanich, A.P.Pritchin, S.E.Terban, V.A.2014-04-152014-04-152013Оксанич А.П. Разработка устройств и систем выращивания слитков арсенида галлия для изделий микро, нано электроники и фотовольтаики / Оксанич А.П., Притчин С.Э., Тербан В.А. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2013. – № 54. – С. 136–143. – Бібліогр.: 7 назв.https://ela.kpi.ua/handle/123456789/7262ruарсенід галіюзлитокпластинатемпературний градієнтдіаметрвнутрішні напруженняgallium arsenideingotwaferthe temperature gradientthe diameterthe internal stressesарсенид галлияслитоктемпературный градиентдиаметрвнутренние напряженияArticleС. 136-143621.317.799