Генкін, А.2015-10-022015-10-022014Розмірні ефекти у структурах на карбіді кремнію : звіт про НДР (заключ.) НТУУ "КПІ" ; кер. роб. А. Генкін. - К., 2014. - 251 л. + CD-ROM. - Д/б №2503-ф0112U001630https://ela.kpi.ua/handle/123456789/12647Звіт по НДР - 4 розділа, 251 сторінка, 108 ілюстрацій, 3 таблиці. Використано 103 літературних джерела. Запропоновано нові методики та уперше проведено детальні експериментальні дослідження електричних, флуктуаційних, електролюмінісцентних, поляризаційних характеристик окремих субмікронних ділянок локалізованого пробою - мікроплазм у p-n-структурах на основі поширених політипів карбіду кремнію, а також карбіду кремнію кубічної модифікації. Виявлено та проаналізовано суттєвий вплив на означені характеристики нанорозмірної політипної надструктури кристалів SiC, температури, технологічних та інших факторів. Уперше виявлена та досліджена значна лінійна поляризація випромінювання мікроплазм відносно вектора напруженості електричного поля. Показана перспективність створення на основі одиничних мікроплазм у SiC практично “ідеальних” точкових джерел оптичного випромінювання, а також високостабільних, широкополосних джерел зі значним ступенем спектрально залежної лінійної поляризації випромінювання. Відпрацьовано лабораторну технологію створення нанопоруватих шарів SiC шляхом анодного окислення кристалів у розчинах HF. Досліджено вплив технологічних режимів на структуру пор. Виявлено суттєві відмінності у характеристиках фотолюмінесценції поруватих шарів та однорідного матеріалу.ukЗвіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.карбід кремніюелектричний пробіймікроплазмапробійна електролюмінесценціялінійна поляризаціяпоруватий карбід кремніюзразкове джерело випромінюванняTechnical Report117 л.537.311.322